山本 真幸
准教授
炭化珪素半導体デバイスの研究開発

  • シリコンとダイヤモンドの中間に位置する炭化珪素(SiC)半導体の特性を活かしたデバイス開発を行っています．
  • キーワード：炭化珪素、半導体デバイス
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