炭化珪素半導体デバイスの研究開発
山梨大学 工学部 電気電子工学科担当
准教授 山本 真幸 電子メール：masayukiy@yamanashi.ac.jp
本研究室では、茨城県つくば市にある産業技術総合研究所と共同で、炭化珪素半導体デバイスの研究開発に取り組んでいます。炭化珪素はシリコンとダイヤモンドの中間に位置するワイドバンドギャップ半導体材料であり、電気的にも、機械・熱的にも、化学的にも優れた耐性を有しています。炭化珪素半導体デバイスは、電力変換器に組み込むパワー半導体スイッチを始め、宇宙空間や原子炉など強い耐放射線特性が求められる環境や、火山ガス雰囲気下などの過酷な環境において、長期的に安定して利用できることが期待されています。本研究室にて大学院に進学した学生には、TCADシミュレータによる素子設計技術、クリーンルームにおける半導体プロセス技術、素子特性評価のための実装技術のすべてを習得してもらいます。
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